Импульсный электронный ускоритель, разработанный учеными Томского политехнического университета, проходит проверку в крупнейшем в Китае Сианьском аэрокосмическом институте двигательных установок. Технология, предложенная политехниками, может быть…
Физики из МФТИ и Королевского колледжа Лондона устранили ограничение на пути к созданию инжекционных нанолазеров для интегральных схем. Предложенный исследователями подход дает возможность производить…
Группа исследователей, возглавляемая учеными из американского Национального института стандартов и технологий (NIST), создала светодиодный источник света совершенно нового типа. Эти крошечные светодиоды демонстрирую невероятно высокий…
Ученым из университета Миннесоты впервые в истории науки удалось включить магнетизм в материале, который является немагнитным в нормальных условиях при помощи электричества. Данное достижение…
Исследователи из Даремского университета, Великобритания, и института Фраунгофера, Германия, придумали и изготовили образцы первого в своем роде материала, который практически невозможно разрезать и просверлить…
На основе соединений висмута, хлора и ароматических углеводородов российские химики создали фотохромные материалы, которые можно будет использовать для создания быстрых и стабильных элементов памяти…
Исследователи Сколтеха совместно с партнерами из нефтедобывающей отрасли нашли способ применить алгоритмы машинного обучения для прогнозирования теплопроводности породы, ключевого показателя, необходимого для того, чтобы…
Этот полупроводник можно использовать в силовой электронике, солнечно-слепых фотодетекторах, а также для других устройств. Работа над получением первого российского объёмного монокристалла Ga2O3 заняла около…
Специалисты Роскосмоса успешно закончили огневые стыковочные испытания нового ионного двигателя ИД-200 КР, который разрабатывают в Центре им. Келдыша. Об этом пишет пресс-служба госкорпорации. Принцип работы…
При помощи метода саморазмножающегося высокотемпературного синтеза ученым удалось получить новый материал на основе карбонитрида гафния (HfC0.5N0.35), значения параметров которого очень близки к теоретическим пределам.…